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DMT47M2SFVWQ-7电子元器件DIODES封装-批次21
DMT47M2SFVWQ-7电子元器件DIODES封装-批次21 价格：3.98  元(人民币) 产地：广东省深圳市
最少起订量：1 发货地：广东省深圳市
上架时间：2024-04-02 04:31:59 浏览量：52
深圳市百能信息技术有限公司  
经营模式：生产加工 公司类型：其他有限责任公司
所属行业：变压器、电感器 主要客户：
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产品参数
品牌DIODES
批号21
数量30
制造商Diodes Incorporated
产品种类MOSFET
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体PowerDI3333-8
晶体管极性N-Channel
通道数量1 Channel
Vds-漏源极击穿电压40 V
Id-连续漏极电流49.1 A
Rds On-漏源导通电阻7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压- 20 V
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压4 V
Qg-栅极电荷12.1 nC
最小工作温度- 55 C
最大工作温度 150 C
Pd-功率耗散2.67 W
通道模式Enhancement
资格AEC-Q101
配置Single
晶体管类型1 N-Channel
下降时间5.59 ns
上升时间4.54 ns
典型关闭延迟时间12.1 ns
典型接通延迟时间5.36 ns
可售卖地全国
型号DMT47M2SFVWQ-7


技术参数

品牌：DIODES
型号：DMT47M2SFVWQ-7
封装：-
批号：21
数量：30
制造商：Diodes Incorporated
产品种类：MOSFET
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：PowerDI3333-8
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：40 V
Id-连续漏极电流：49.1 A
Rds On-漏源导通电阻：7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-栅极电荷：12.1 nC
最小工作温度：- 55 C
最大工作温度： 150 C
Pd-功率耗散：2.67 W
通道模式：Enhancement
资格：AEC-Q101
配置：Single
晶体管类型：1 N-Channel
下降时间：5.59 ns
上升时间：4.54 ns
典型关闭延迟时间：12.1 ns
典型接通延迟时间：5.36 ns

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