N型、P型、半绝缘型磷化铟(InP)化合物半导体衬底片 |
价格:\u9762\u8bae 元(人民币) | 产地:福建厦门 | |
最少起订量:1 | 发货地:福建厦门 | |
上架时间:2024-04-17 13:19:53 | 浏览量:14 | |
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磷化铟(InP)是由铟和磷组成的二元半导体。它具有闪锌矿型晶体结构,与GaAs和大多数III-V半导体相同。磷化铟可以通过白磷和碘化铟在400℃下的反应制备,也可以通过在高温和高压下直接组合纯化的元素,或通过三烷基铟化合物和膦的混合物的热分解来制备。可提供2”, 3”, 4”磷化铟晶片,具体参数以2寸的为例:
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