产品参数 |
品牌 | 中芯晶研 |
批号 | 最新 |
封装 | 单片包装 |
包装 | 盒装 |
晶体结构 | 纤锌矿晶体结构 |
带隙 | 3.4eV |
有效面积 | >90 |
总厚度变化 | ≤15um |
弯曲度 | ≤20um |
抛光 | 正面:外延级抛光;背面:精磨 |
数量 | 10 |
可售卖地区 | 全国 |
可售卖地 | 全国 |
型号 | N型,半绝缘型 | |
氮化镓(GaN)是二十世纪九十年代以来常用于发光二极管的二元III / V族直接带隙半导体。该化合物是一种非常坚硬的材料,具有纤锌矿晶体结构。其3.4 eV的宽带隙为光电,高功率和高频器件的应用提供了特殊的性能。可供氢化物气相外延(HVPE)技术生长导电型与半绝缘型氮化镓单晶衬底晶片,晶片参数大致如下:
1. 氮化镓晶片规格参数
2. 氮化镓衬底的应用场景
1)GaN衬底可制备发光二极管(LED)与紫外激光二极管(LD);
2)它对电离辐射的敏感性很低(与其他III族氮化物一样),使其成为卫星太阳能电池阵列的合适材料。
3)由于设备在辐射环境中表现出稳定性,因此太空应用也可能受益。
4)由于GaN晶体管可以在更高的温度下工作,并且工作电压比砷化镓(GaAs)晶体管高得多,因此它们可以在微波频率下制造理想的功率放大器。
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