| 三五族半导体N型、P型锑化镓（GaSb）晶片，单面、双面抛光 |
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价格：\u9762\u8bae 元(人民币) | 产地：福建厦门 |
| 最少起订量：1 | 发货地：福建厦门 | |
| 上架时间：2024-04-17 13:20:19 | 浏览量：14 | |
厦门中芯晶研半导体有限公司
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锑化镓（GaSb）半导体在 III-V族化合物材料中具有较小的带隙，在室温下其能带隙为 0.70 eV (1.77 μm)，在 4K 下为 0.81 eV (1.53 μm)，适用于工作在红外区域的光电器件和波长范围为 1-5 μm 的电子器件。可提供锑化镓晶片如下： .jpg) 2.?锑化镓材料特性 .jpg) 2.2 GaSb 电气性能 .jpg)
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