| 全新原装 插件三极管 ICL8069 ICL8069DCZR PMIC-电压基准 |
 |
价格：0 元(人民币) | 产地：美国 |
| 最少起订量：1个 | 发货地：广东省深圳市 | |
| 上架时间：2021-07-29 18:50:25 | 浏览量：1077 | |
深圳市南北行电子发展有限公司
 |
||
| 经营模式：代理商 | 公司类型：其他 | |
| 所属行业：三极管 | 主要客户：中小型 电子工厂 | |
 在线咨询  |
||
| 联系人:周斯琪 (先生) | 手机:13714705290 |
电话: |
传真: |
| 邮箱:574594172@qq.com | 地址:深圳市深南中路航空大厦2507室 |
|
IRF4905STRLPBF 规格信息： 封装/外壳：D2PAK FET 类型：P 沟道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：42A（Tc） 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：20 毫欧 @ 42A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：4V @ 250?A 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：180nC @ 10V Vgs（值）：±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：3500pF @ 25V 功率耗散（值）：170W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：表面贴装 系列：HEXFET® FET类型：P 沟道 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：42A（Tc） 驱动电压（RdsOn，最小RdsOn）：10V 不同Id时的Vgs（th）（值）：4V @ 250?A 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（值）：180nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（值）：3500pF @ 25V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（值）：20 毫欧 @ 42A，10V 封装形式Package：D2PAK 极性Polarity：P-CH 漏源极击穿电压VDSS：55V 连续漏极电流ID：74A 供应商器件封装：D2PAK 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（）@ Vgs：10V 电压，耦合至输入电容（Ciss）（） @ Vds：25V 无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
|
| 版权声明：以上所展示的信息由会员自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。机电之家对此不承担任何责任。 友情提醒：为规避购买风险，建议您在购买相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。 |
