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1. MCT (MOS Control led Thyristor):MOS控制晶闸管MCT 是一种新型MOS 与双极复合型器件。如上图所示。MCT是将 MOSFET 的高阻抗、低驱动图 MCT 的功率、快开关速度的特性与晶闸管的高压、大电流特型结合在一起,形成大功率、高压、快速全控型器件。实质上MCT 是一个MOS 门极控制的晶闸管。它可在门极上加一窄脉冲使其导通或关断,它由无数单胞并联而成。它与GTR,MOSFET,IGBT,GTO等器件相比,有如下优点:(1)电压高、电流容量大,阻断电压已达3000V,峰值电流达1000A, 可关断电流密度为6000kA/m2;(2)通态压降小、损耗小,通态压降约为11V;(3)极高的dv/dt和di/dt耐量,dv/dt已达2kV/s ,di/dt为2kA/s;(4)开关速度快, 开关损耗小,开通时间约200ns,1000V 器件可在2s 内关断;2. IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)IGCT是在晶闸管技术的基础上结合IGBT和GTO等技术开发的新型器件,适用于高压大容量变频系统中,是一种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起,再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接,结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点。在导通阶段发挥晶闸管的性能,关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT芯片在不串不并的情况下,二电平逆变器功率0.5~3MW,三电平逆变器1~6MW;若反向二极管分离,不与IGCT集成在一起,二电平逆变器功率可扩至4/5MW,三电平扩至9MW。目前,IGCT已经商品化, ABB公司制造的IGCT产品的 性能参数为4[1]5kV/4kA , 研制水平为6 kV/ 4 kA。1998 年,日本三菱公司也开发了直径为88mm的GCT的晶闸管IGCT损耗低、开关快速等优点保证了它能可靠、率地用于300kW~ 10MW变流器,而不需要串联和并联。 3. IEGT( Injection Enhanced Gate Transistor) 电子注入增强栅晶体管IEGT是耐压达4kV以上的IGBT系列电力电子器件,通过采取增强注入的结构实现了低通态电压,使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。IEGT 具有作为MOS 系列电力电子器件的潜在发展前景,具有低损耗、高速动作、高耐压、有源栅驱动智能化等特点,以及采用沟槽结构和多芯片并联而自均流的特性,使其在进一步扩大电流容量方面颇具潜力。另外,通过模块封装方式还可提供众多派生产品,在大、中容量变换器应用中被寄予厚望。日本东芝开发的 IECT 利用了电子注入增强.效应,使之兼有IGBT和GTO 两者的优点:低饱和压降,安全工作区(吸收回路容量仅为 GTO 的十分之一左右),低栅极驱动功率(比 GTO低两个数量级)和较高的工作频率。器件采用平板压接式电机引出结构,可靠性高,性能已经达到4.5 kV/ 1500A 的水平。
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