南麟NP3400 30V N沟道增强型MOSFET管 |
价格:0.2 元(人民币) | 产地:1 | |
最少起订量:1片 | 发货地:1 | |
上架时间:2022-07-15 17:08:28 | 浏览量:604 | |
深圳市东诚兴电子有限公司 | ||
经营模式:代理商 | 公司类型:个体工商户 | |
所属行业:场效应管 | 主要客户:全国 | |
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30V N沟道增强型MOSFET 30V N沟道增强型MOSFET 30V N沟道增强型MOSFET
描述
NP3400B采用先进的沟槽技术
提供出色的RDS(上)
?五世
低栅极电荷和高
超低导通电阻的密度单元设计。这
器件适合用作负载开关或用于PWM
应用程序。
一般特征
DS =30V,ID R =5A
DS(开)(典型值。)= 43mω@ VGS = 2.5V
RDS(开)(典型值。)= 31mω@ VGS
?高功率和电流处理能力
=4.5V
收购?无铅产品
?表面贴装封装
应用
? PWM应用
?负荷开关 |
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