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NP1216DR-G南麟12V P沟道增强型MOSFET
NP1216DR-G南麟12V P沟道增强型MOSFET 价格:0.11  元(人民币) 产地:上海
最少起订量:1 发货地:1
上架时间:2022-07-29 16:36:20 浏览量:709
深圳市东诚兴电子有限公司  
经营模式:代理商 公司类型:个体工商户
所属行业:场效应管 主要客户:全国
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详细介绍

NP1216DR-G南麟12V P沟道增强型MOSFET

NP1216DR-G南麟12V P沟道增强型MOSFET

NP1216DR-G南麟12V P沟道增强型MOSFET


描述

NP1216DR采用先进的沟槽技术

提供出色的RDS(ON)

一般特征

、低栅极电荷和

栅极电压低至1.8V时运行。这

该装置适合用作负载开关或PWM

应用。? VDS=-12V,ID

R=-16A

DS(ON)(典型值)=18米? @VGS

R=-2.5V

DS(开)(典型值)=13m? @VGS

? 高功率和电流处理能力

=-4.5V

? 获得无铅产品

? 表面贴装封装

应用

? PWM应用

? 负荷开关

包裹

? DFN2*2-6L-B

NP1216DR-G南麟12V P沟道增强型MOSFET


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