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NP4N10MR-G南麟100V N沟道增强型MOSFET
NP4N10MR-G南麟100V N沟道增强型MOSFET 价格:0.1  元(人民币) 产地:上海
最少起订量:1 发货地:1
上架时间:2022-07-29 16:38:26 浏览量:757
深圳市东诚兴电子有限公司  
经营模式:代理商 公司类型:个体工商户
所属行业:场效应管 主要客户:全国
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详细介绍

NP4N10MR-G南麟100V N沟道增强型MOSFET

NP4N10MR-G南麟100V N沟道增强型MOSFET

NP4N10MR-G南麟100V N沟道增强型MOSFET


描述

NP4N10MR采用先进的沟槽技术

提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高

超低导通电阻密度电池设计。这

该装置适合用作负载开关或PWM

应用。

一般特征

? VDS=100V,ID=4A RDS(开)(典型值)=110m? @VGS=10V

RDS(开)(典型值)=150m? @VGS=4.5V

? 高功率和电流处理能力

? 获得无铅产品

? 表面贴装封装

应用

? PWM应用

? 负荷开关

包裹

? SOT-23-3L

示意图

D G S

标记和针脚分配

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