IGBT直流参数测试仪STD2002-中国PLC网

IGBT直流参数测试仪STD2002

	价格：29000 元(人民币)	产地：陕西
	最少起订量：1套	发货地：西安市
	上架时间：2024-03-13 15:18:38	浏览量：77
	陕西天士立科技有限公司
	经营模式：生产加工	公司类型：
	所属行业：电子测量仪器	主要客户：
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联系方式

联系人:王伟 ()	手机:13186093180
电话:	传真:
邮箱:tianshili_email@163.com	地址:陕西省西安市长安区王寺街道西部生命科学园10号楼北202

详细介绍

IGBT直流参数测试仪STD2002

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陕西天士立科技有限公司

专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验

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测试对象：IGBT、Mosfet、Diode

测试参数：静态参数，包括IGBT的IGES、ICES、VGE(th)、VCE(sat)以及快恢复二极管的VF、ICES等参数

标准:《绝缘栅双极晶体管（IGBT）》（GB/T29332-2012）

该测试仪具有自动保护功能，且所有参数的设定及显示均采用液晶屏触摸屏实现，支持U盘一键导出数据

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陕西天士立科技有限公司

专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验

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IGBT直流参数测试仪STD2002

IGBT测试

IGBT测试项目

测试条件

测试结果

栅极-发射极栅

极绝缘

Vges:?1.0-20.0V ,分辨力,0.1V

精度:±3%?±0.1V

Iges: 0.1-20.0?A,分辨力,0.1?A

精度:±3%?±0.1?A

截止电流

Vces:?100-2000V,分辨力,1 V

精度:±3%?±10V

Ices:?100?A-1000?A,分辨力,10?A

1.0mA-10.0mA,分辩力,0.1mA

精度:±3%?±10?A

阈值电压

Ice：?1-10mA，分辨力，?1mA

（可根据客户需求扩展）

Vge(th):?1.0-10.0V,分辨力,0.1V

精度:±3%?±0.1V

饱和压降

Ice: 20-200A,分辨力,1A

精度:±3%?±1A

Vce(sat): 0.20-10.00V,分辨力,0.01V

精度:±3%?±0.10V

二极管压降

If: 20-200A,分辨力,1A

精度:±3%?±1 A

Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V

精度:±3%?±0.10V

二极管反向电流

Vd:100-2000V,分辨力,1V

精度:±3%?±10V

Id:?100?A-1000?A,分辨力,10?A

1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA

精度:±3%?±10?A

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IGBT直流参数测试仪STD2002

MOSFET测试

MOSFET测试项目	测试条件	测试结果
栅极-源极绝缘	Vgss:?1.0-20.0V ,分辨力,0.1V 精度:±3%?±0.1V	Igss: 0.1-20.0?A,分辨力,0.1?A 精度:±3%?±0.1?A
漏极-源极截止电流	Vdss:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3%?±10V	Idss:100?A-1000?A,分辨力,10?A 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3%?±10?A
栅极-源极阈值电压	Ids：?1-10mA，分辨力，?1mA	Vgs(to):?1.0-10.0V,分辨力,0.1V 精度:±3%?±0.1V
漏极-源极导通电阻	Ids:20-200A,分辨力,1A 精度:±3%?±1A	Rds(on):0-500mR,分辨力,1mR
二极管压降	If: 20-200A,分辨力,1A 精度:±3%?±1 A	Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V 精度:±3%?±0.10V
二极管反向电流	Vdss:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3%?±10V	Idss:100?A-1000?A,分辨力,10?A 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3%?±10?A

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专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验

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IGBT直流参数测试仪STD2002

DIODE测试

DIODE测试项目

测试条件

测试结果

二极管压降

If:20-200A,分辨力,1A

精度:±3%?±1A

Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V

精度:±3%?±0.10V

二极管反向电流

Vd:100-2000V,分辨力,1V

精度:±3%?±10V

Id:100?A-1000?A,分辨力,10?A

1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA

精度:±3%?±10?A

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IGBT直流参数测试仪STD2002

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