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晶体管动态特性测试系统STA1200
晶体管动态特性测试系统STA1200 价格:980000  元(人民币) 产地:陕西
最少起订量:1 发货地:西安市
上架时间:2024-03-15 17:57:55 浏览量:82
陕西天士立科技有限公司  
经营模式:生产加工 公司类型:
所属行业:电子测量仪器 主要客户:
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联系人:王伟 () 手机:13186093180
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邮箱:tianshili_email@163.com 地址:陕西省西安市长安区王寺街道西部生命科学园10号楼北202

详细介绍

晶体管动态特性测试系统STA1200

 

 

陕西天士立科技有限公司

专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验

 

晶体管动态特性测试系统STA1200

基础信息

高压源:1200V(选配2000V)

高流源:100A(选配200A/300A/500A)

驱动电压:±20V(选配±30V)

时间分辨率:1ns(选配400ps/200ps/100ps)

系统杂感:20nH

测试对象:Si(SiC/GaN)IGBT,Diode,MOSFET(选配BJT)

变温测试:常温~150℃/200℃

感性负载:程控电感(0.01~160mH,步进10uH) 

阻性负载:程控电阻(1Ω,2Ω,5Ω,10Ω,50Ω)备用三个

测试管型:可以测试N沟道和P沟道的IGBTs,MOSFETs

测试标准:IEC60747-9/IEC60747-2,GB/T29332/GB/T4023

 

陕西天士立科技有限公司

专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验

 

晶体管动态特性测试系统STA1200

试验原理举例

 

 

晶体管动态特性测试系统STA1200

技术特点

1. 专注宽禁带功率器件动态参数评测,软件程控,测试条件界面化输入,系统闭环处理,自动调节一键测试

2. 采用光纤驱动信号通讯,响应速度快,抗干扰能力强

3. 自动加热可由室温~200℃,精度±0.1℃

4. 测试结果Excel,JPEG波形,波形任意缩放细节展宽分析

5. 测试主功率回路寄生电感Ls<10nH(实测)

6. 栅极驱动电阻Rg端口开放,按设定条件匹配电阻

7. DualARM控核,DSP数据采样计算,极大减少控制时延误差

 

陕西天士立科技有限公司

专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验

 

晶体管动态特性测试系统STA1200

试验能力

标配:开通特性测试单元/Turn_ON

标配:关断特性测试单元/Turn_OFF

标配:二极管反向恢复测试单元/Trr

标配:栅电荷测试单元/Qg¨

选配:容阻测



试单元/CR¨

选配:短路测试单元/SC¨

选配:雪崩测试单元/UIS¨

选配:安全工作区单元/SOA¨

选配:动态电阻单元/

 

陕西天士立科技有限公司

专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验

 

晶体管动态特性测试系统STA1200

参数指标

 

 标配(阻性/感性)开关测试单元 / Turn_ON/OFF

漏极电压: 5V-1200V, 分辨率 1V

漏极电流: 1A-100A, 分辨率1A;

栅极驱动: ±20V (选配±30V), 分辨率 0.1V

栅极电流: 2A/MAX

脉冲宽度: 1us-500us,步进 0.1us

时间精度: 1ns

感性负载: 0.01mH-160mH 程序控制, 步进 10uH

阻性负载: 1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω ,  程控, 备用三个电阻

开关时间: ton/toff: 1-10000ns分辨率1ns (选配400/200/100ps)

开关延迟: td(on)/td(off): 0.1-10000ns@1ns (选配400/200/100ps)

上下时间/tr/tf: 1-10000ns分辨率1ns (选配400/200/100ps)

开关损耗/ Eon/Eoff: 1-2000mJ 最小分辨率 1uJ

 

 

 标配  栅极电荷单元 / Qg

驱动电流: 0-2mA, 分辨率 0.01mA

2-20mA, 分辨率 0.1mA

20mA-200mA, 分辨率 1mA

栅极电压: ±20V (选配±30V) @0.1V

恒流源负载: 1-25A, 分辨率0.1A

25-100A(选配200A/300A)@1A

漏极电压: 5-100V, 步进 0.1V

100-1200V, 步进 1.0V

栅极电荷 Qg: 1nC-100?C

漏极电荷 Qgs: 1nC-100?C

源极电荷 Qgd: 1nC-100?C

平台电压 Vgp: 0~30V, 分辨率 0.1V

 

 标配  二极管反向恢复测试单元 / Qrr_FRD

正向电流: 1A-25A, 分辨率 0.1A

25A-100A (选配200A/300A) 分辨率 1A

反向电压: 5v-100V, 步进 0.1V

100V-1200V, 步进 1.0v

反向恢复时间 Trr: 1-10000ns, 最小分辨率1ns (选配400/200/100ps)

反向恢复电荷 Qrr: 1nC-100?C, 最小分辨率 1nC;

反向恢复电流 Irm: 1A-100A (选配200A/300A);

反向恢复损耗 Erec: 1-2000mJ, 最小分辨率 1uJ;

电流下降率 dif/dt: 50-1kA/us;

电压变化率 dv/dt: 50-1kV/us。

 

¨ 选配  短路特性测试单元/ SC

电流: 1000A/MAX

脉宽: 1us~100us

栅驱电压: ±20V (选配±30V) @0.1V

漏极电压: 5V~100V, 0.1V 分辨率

100V~1200V, 1.0V 分辨率

 

¨ 选配  雪崩测试单元 / UIS

雪崩耐量/EAS: 100J

雪崩击穿电压/2500V

雪崩电流/IAS: 1.0-400A 分辨率 1.0A

感性负载/0.01-160mH@10μH, 程控可调

 

¨ 选配  容阻测试单元 / CR

扫频范围: 0.1MHz~5MHz

漏源极电压: 1200V, 分辨率 1V

 

¨ 选配  动态电阻Ron,dy

 

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晶体管动态特性测试系统STA1200

 

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