晶体管动态特性测试系统STA1200 |
价格:980000 元(人民币) | 产地:陕西 | |
最少起订量:1套 | 发货地:西安市 | |
上架时间:2024-03-15 17:57:55 | 浏览量:82 | |
陕西天士立科技有限公司 | ||
经营模式:生产加工 | 公司类型: | |
所属行业:电子测量仪器 | 主要客户: | |
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晶体管动态特性测试系统STA1200
陕西天士立科技有限公司 专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验
晶体管动态特性测试系统STA1200 基础信息 高压源:1200V(选配2000V) 高流源:100A(选配200A/300A/500A) 驱动电压:±20V(选配±30V) 时间分辨率:1ns(选配400ps/200ps/100ps) 系统杂感:<20nH 测试对象:Si(SiC/GaN)IGBT,Diode,MOSFET(选配BJT) 变温测试:常温~150℃/200℃ 感性负载:程控电感(0.01~160mH,步进10uH) 阻性负载:程控电阻(1Ω,2Ω,5Ω,10Ω,50Ω)备用三个 测试管型:可以测试N沟道和P沟道的IGBTs,MOSFETs 测试标准:IEC60747-9/IEC60747-2,GB/T29332/GB/T4023
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晶体管动态特性测试系统STA1200 试验原理举例
晶体管动态特性测试系统STA1200 技术特点 1. 专注宽禁带功率器件动态参数评测,软件程控,测试条件界面化输入,系统闭环处理,自动调节一键测试 2. 采用光纤驱动信号通讯,响应速度快,抗干扰能力强 3. 自动加热可由室温~200℃,精度±0.1℃ 4. 测试结果Excel,JPEG波形,波形任意缩放细节展宽分析 5. 测试主功率回路寄生电感Ls<10nH(实测) 6. 栅极驱动电阻Rg端口开放,按设定条件匹配电阻 7. DualARM控核,DSP数据采样计算,极大减少控制时延误差
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晶体管动态特性测试系统STA1200 试验能力 标配:开通特性测试单元/Turn_ON 标配:关断特性测试单元/Turn_OFF 标配:二极管反向恢复测试单元/Trr 标配:栅电荷测试单元/Qg¨ 选配:容阻测 试单元/CR¨ 选配:短路测试单元/SC¨ 选配:雪崩测试单元/UIS¨ 选配:安全工作区单元/SOA¨ 选配:动态电阻单元/
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晶体管动态特性测试系统STA1200 参数指标
¨ 选配 动态电阻Ron,dy
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